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Référence fabricant | BZX55B8V2-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55B8V2-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55B8V2-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55B8V2-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55B8V2-TAP-FT |
GLL4761A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4762-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4762-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4762A-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4762A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4763-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4763-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4763A-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GLL4763A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
ZMM5226B-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208M
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
A40MX02-2PL44I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40E2SG
Intel