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Référence fabricant | BZX55B3V6-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55B3V6-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55B3V6-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55B3V6-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55B3V6-TAP-FT |
1N5232B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5232C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5233B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5233B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5233C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5234B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5234C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5234C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5235C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5235C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation