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Référence fabricant | BZX55B3V0 A0G |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55B3V0 A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZX55B3V0 A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55B3V0 A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55B3V0 A0G-FT |
1M130Z R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1M130ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1M150Z R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1M150ZHR0G
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1M160Z R0G
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1M160ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1M180Z R0G
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1M180ZHR0G
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1M200Z R0G
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1M200ZHR0G
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A3P1000-2PQG208
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M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
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XC5VLX50-3FF676C
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M1AGL600V2-CS281
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A42MX09-3PQG160
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LFE2-20SE-5F672I
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LCMXO3LF-9400E-6MG256I
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LCMXO640E-4MN132C
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EPF10K50VRC240-1N
Intel