maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C6V2-HE3-08
Référence fabricant | BZX384C6V2-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C6V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C6V2-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 4V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C6V2-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C6V2-HE3-08-FT |
BZX384C2V4-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V4-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V4-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel