maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C39-HE3-18
Référence fabricant | BZX384C39-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C39-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 130 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 27.3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C39-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C39-HE3-18-FT |
BZX384B75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
LFXP15C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
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EP3SL50F780I3N
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