maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384B3V9-G3-18
Référence fabricant | BZX384B3V9-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384B3V9-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZX384B3V9-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B3V9-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384B3V9-G3-18-FT |
BZX384B11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
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M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation