maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C9V1-HE3-08
Référence fabricant | BZT52C9V1-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C9V1-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C9V1-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C9V1-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C9V1-HE3-08-FT |
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel