maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C9V1-HE3-08
Référence fabricant | BZT52C9V1-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C9V1-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C9V1-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C9V1-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C9V1-HE3-08-FT |
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation