maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C6V2-G3-18
Référence fabricant | BZT52C6V2-G3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZT52C6V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C6V2-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C6V2-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C6V2-G3-18-FT |
BZT52C2V4-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V4-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.