maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C51-HE3-08
Référence fabricant | BZT52C51-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C51-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C51-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 38V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C51-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C51-HE3-08-FT |
BZT52C16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C18-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C18-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel