maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C4V3-G3-18
Référence fabricant | BZT52C4V3-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C4V3-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C4V3-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C4V3-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C4V3-G3-18-FT |
BZT52C13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel