maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C20-HE3-08
Référence fabricant | BZT52C20-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C20-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C20-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 15V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C20-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C20-HE3-08-FT |
BZT52B4V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B51-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B51-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B51-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B51-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B56-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B56-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B56-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation