maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B9V1-G RHG
Référence fabricant | BZT52B9V1-G RHG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZT52B9V1-G RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT52B9V1-G RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B9V1-G RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B9V1-G RHG-FT |
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B5V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B68S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel