maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B6V8-G RHG
Référence fabricant | BZT52B6V8-G RHG |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B6V8-G RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT52B6V8-G RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 4V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V8-G RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B6V8-G RHG-FT |
BZT52B3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B5V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel