maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B4V7-E3-18
Référence fabricant | BZT52B4V7-E3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZT52B4V7-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT52B4V7-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B4V7-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B4V7-E3-18-FT |
BZT52B15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel