maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B3V9-G RHG
Référence fabricant | BZT52B3V9-G RHG |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B3V9-G RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT52B3V9-G RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-G RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B3V9-G RHG-FT |
BZT52C39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C3V0S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C51S RRG
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BZT52C5V1S RRG
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UDZS15B RRG
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BZT52B9V1S RRG
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BZT52B10S RRG
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BZT52B11S RRG
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BZT52B12S RRG
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BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
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LFXP15C-3F256C
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP2C70F896C7N
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EP2S130F1508C5N
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EP20K60EQC208-1
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