maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B2V4-HE3-18
Référence fabricant | BZT52B2V4-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B2V4-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B2V4-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B2V4-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B2V4-HE3-18-FT |
BZT52B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C3N
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel