maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B2V4-HE3-18
Référence fabricant | BZT52B2V4-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B2V4-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B2V4-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B2V4-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B2V4-HE3-18-FT |
BZT52B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation