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Référence fabricant | BZT52B10JS-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B10JS-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT52B10JS-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B10JS-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B10JS-TP-FT |
BZT52-C3V0J
Nexperia USA Inc.
BZT52-C3V0X
Nexperia USA Inc.
BZT52-C3V6J
Nexperia USA Inc.
BZT52-C3V6X
Nexperia USA Inc.
BZT52-C43J
Nexperia USA Inc.
BZT52-C43X
Nexperia USA Inc.
BZT52-C47J
Nexperia USA Inc.
BZT52-C47X
Nexperia USA Inc.
BZT52-C4V3J
Nexperia USA Inc.
BZT52-C4V3X
Nexperia USA Inc.
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31C4N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel