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Référence fabricant | BZT03D39-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZT03D39-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT03D39-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 31V |
Tension - Panne (Min) | 35.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 56V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.5A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03D39-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT03D39-TAP-FT |
BZT03C110-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C120-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C120-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C130-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C130-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03C16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel