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Référence fabricant | BZT03D110-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZT03D110-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT03D110-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 86V |
Tension - Panne (Min) | 99V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 157V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03D110-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT03D110-TAP-FT |
VESD05A1-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel