maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZG05C3V6-HE3-TR
Référence fabricant | BZG05C3V6-HE3-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BZG05C3V6-HE3-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZG05C3V6-HE3-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1.25W |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG05C3V6-HE3-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZG05C3V6-HE3-TR-FT |
BZG05C100-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C100-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C100-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C100TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C100TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C10TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C10TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C11-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C11-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05C11-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.