maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZG05C18-HE3-TR
Référence fabricant | BZG05C18-HE3-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BZG05C18-HE3-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZG05C18-HE3-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1.25W |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 13V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG05C18-HE3-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZG05C18-HE3-TR-FT |
BZG03C13TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C150TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C15TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C160TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C160TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C16TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C16TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03C180TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.