maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZG05B9V1-M3-18
Référence fabricant | BZG05B9V1-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZG05B9V1-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BZG05B-M |
BZG05B9V1-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±1.98% |
Puissance - Max | 1.25W |
Impédance (Max) (Zzt) | 5 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 6.8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG05B9V1-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZG05B9V1-M3-18-FT |
BZG05B30-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B30-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B30-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B30-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B33-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B33-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B33-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B33-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B36-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B36-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation