maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZG03C110-M3-18
Référence fabricant | BZG03C110-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZG03C110-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BZG03C-M |
BZG03C110-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolérance | ±5.45% |
Puissance - Max | 1.25W |
Impédance (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 82V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 500mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG03C110-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZG03C110-M3-18-FT |
BZG03B180-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B180-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B20-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B20-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B20-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B20-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B200-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B200-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B200-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG03B200-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel