maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C9V1P-M3-18
Référence fabricant | BZD27C9V1P-M3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27C9V1P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C9V1P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C9V1P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C9V1P-M3-18-FT |
BZD27C3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA300-FG144I
Microsemi Corporation
A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40C3N
Intel
10AX032H4F35I3LG
Intel
XC6SLX9-3CSG225I
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2M13C7N
Intel
EP20K200RC240-1N
Intel