maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C6V8P RVG
Référence fabricant | BZD27C6V8P RVG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27C6V8P RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD27C6V8P RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V8P RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C6V8P RVG-FT |
BZD27C33PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C33PHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36P RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36PHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C39P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C39P R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C39P RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel