maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C5V6P-M3-18
Référence fabricant | BZD27C5V6P-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C5V6P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C5V6P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C5V6P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C5V6P-M3-18-FT |
BZD27C180P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C200P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation