maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C51P RVG
Référence fabricant | BZD27C51P RVG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C51P RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD27C51P RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 39V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C51P RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C51P RVG-FT |
BZT52C56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C68S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C6V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C8V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C9V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS10B R9G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel