maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C47P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27C47P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C47P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C47P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 36V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C47P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C47P-HE3-08-FT |
MMSZ5262B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-2N
Intel
XC3S400A-4FT256C
Xilinx Inc.
M7AFS600-FG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C5
Intel
EPF10K30AQC240-1N
Intel