maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C33P-M3-18
Référence fabricant | BZD27C33P-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C33P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C33P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 24V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C33P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C33P-M3-18-FT |
BZD27B9V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel