maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C30P RHG
Référence fabricant | BZD27C30P RHG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C30P RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD27C30P RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolérance | ±6.66% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 22V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C30P RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C30P RHG-FT |
BZD27C180PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C18P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C18P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C18P MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C18P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C18P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel