maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C200P-M-18
Référence fabricant | BZD27C200P-M-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C200P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C200P-M-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 500 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C200P-M-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C200P-M-18-FT |
BZD27C43P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation