maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C180P RTG
Référence fabricant | BZD27C180P RTG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C180P RTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD27C180P RTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 179.5V |
Tolérance | ±6.4% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 130V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C180P RTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C180P RTG-FT |
BZD27C120PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C120PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C120PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C120PHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C12P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
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EP1S25F780C7N
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