maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C160P-M-18
Référence fabricant | BZD27C160P-M-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27C160P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C160P-M-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 160V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 350 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 120V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C160P-M-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C160P-M-18-FT |
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2
Intel
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-PQ208
Microsemi Corporation
XC5VLX110-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
10CX085YF672I5G
Intel
EPF10K30EQC208-1X
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel