maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C12P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27C12P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C12P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C12P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C12P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C12P-HE3-08-FT |
MMSZ5264C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5265B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel