maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C110P-M-08
Référence fabricant | BZD27C110P-M-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C110P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C110P-M-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 82V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C110P-M-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C110P-M-08-FT |
BZD27C3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V9P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C43P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
Intel
EP4SGX180KF40C4N
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5SGSMD8K3F40I3
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LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
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