maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C110P-E3-18
Référence fabricant | BZD27C110P-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C110P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C110P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 82V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C110P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C110P-E3-18-FT |
BZD27B4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
LFECP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FCSG325I
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XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXMA7K2F35C3
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5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-3N
Intel