maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C110P-E3-08
Référence fabricant | BZD27C110P-E3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27C110P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C110P-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 82V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C110P-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C110P-E3-08-FT |
MMSZ5262C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5263B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel