maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C100P M2G
Référence fabricant | BZD27C100P M2G |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C100P M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD27C100P M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolérance | ±6% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C100P M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C100P M2G-FT |
BZD27C68PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C6V8PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C6V8PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
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LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
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