maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B75P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27B75P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B75P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B75P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 75V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 56V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B75P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B75P-HE3-08-FT |
BZD27B30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B36P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel
10AX016E3F29E1HG
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel