maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B62P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27B62P-HE3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27B62P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B62P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 47V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B62P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B62P-HE3-08-FT |
BZD27B20P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
5SGSMD5H1F35C1N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel