maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B11P-M3-08
Référence fabricant | BZD27B11P-M3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27B11P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B11P-M3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B11P-M3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B11P-M3-08-FT |
MMSZ5264B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5264C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation