maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C18P RHG
Référence fabricant | BZD17C18P RHG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C18P RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C18P RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolérance | ±6.38% |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 13V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C18P RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C18P RHG-FT |
BZD27C75P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C75PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C82P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C82PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C130P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
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5AGXMB7G6F35C6N
Intel