maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C18P-E3-18
Référence fabricant | BZD17C18P-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C18P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C18P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 13V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C18P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C18P-E3-18-FT |
BZD27C27P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel