maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C180P R3G
Référence fabricant | BZD17C180P R3G |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C180P R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C180P R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 180V |
Tolérance | ±6.38% |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 130V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C180P R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C180P R3G-FT |
BZD27C62P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel