maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C120P RVG
Référence fabricant | BZD17C120P RVG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C120P RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C120P RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 120V |
Tolérance | ±5.41% |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 300 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 91V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C120P RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C120P RVG-FT |
BZD27C51PHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C51PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C51PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C51PHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
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LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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