maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C11P M2G
Référence fabricant | BZD17C11P M2G |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C11P M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C11P M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±5.45% |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C11P M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C11P M2G-FT |
BZD17C62P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C68P RQG
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BZD27C100P RQG
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BZD27C100PHRHG
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BZD27C100PHRTG
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BZD27C11P RQG
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Xilinx Inc.
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LFE2M20E-6F484C
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