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Référence fabricant | BYX82TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYX82TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYX82TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYX82TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYX82TAP-FT |
1N5060TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5061TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-16STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY448TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY458TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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