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Référence fabricant | BYW76RAS15-10-PH |
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Numéro de pièce future | FT-BYW76RAS15-10-PH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYW76RAS15-10-PH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW76RAS15-10-PH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYW76RAS15-10-PH-FT |
B340A-13-03-F
Diodes Incorporated
B340A-13-F-81
Diodes Incorporated
B340A-13-G-72
Diodes Incorporated
B340LB-13-G
Diodes Incorporated
B360-13-G
Diodes Incorporated
B360B-13-G
Diodes Incorporated
B540C-13-01-F
Diodes Incorporated
B540C-13-G
Diodes Incorporated
B560C-13-01-F
Diodes Incorporated
B5817X2-TP
Micro Commercial Co
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel