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Référence fabricant | BYW51-200G |
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Numéro de pièce future | FT-BYW51-200G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
BYW51-200G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW51-200G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYW51-200G-FT |
MBR4040PT
Diodes Incorporated
MBR6040PT
Diodes Incorporated
MBR6045PT
Diodes Incorporated
MBR6045PT-F
Diodes Incorporated
MBRA3045NTU
ON Semiconductor
RHRA1560CC
ON Semiconductor
SBL1630PT
Diodes Incorporated
SBL1635PT
Diodes Incorporated
SBL1640PT
Diodes Incorporated
SBL1645PT
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel