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Référence fabricant | BYW172D-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYW172D-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYW172D-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW172D-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYW172D-TAP-FT |
LL101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101C-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101C-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103A-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103A-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103B-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel